半導体デバイス工学―デバイスの基礎から製作技術まで [単行本]

半導体デバイス工学―デバイスの基礎から製作技術まで の 商品概要

• 要旨（「BOOK」データベースより）

  本書は、半導体、特にシリコン（Ｓｉ）の諸性質を定性的かつ定量的にわかりやすく解説。さらに各種デバイスの特性やＳｉ集積回路の設計・製造法を丁寧に記述した入門書・テキスト。

• 目次（「BOOK」データベースより）

  １　半導体デバイスの歴史とその役割
  ２　半導体の諸性質
  ３　ダイオード
  ４　バイポーラデバイス
  ５　ユニポーラデバイス
  ６　集積回路
  ７　Ｓｉ半導体デバイスの製作技術

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  安田 幸夫(ヤスダ ユキオ)
  １９６５年名古屋大学大学院修士課程修了。１９６５年東芝株式会社入社。１９７３年工学博士。１９８０年豊橋技術科学大学教授。１９８６年名古屋大学大学院工学研究科教授、現在に至る。専門分野は半導体材料物性、シリコン集積技術、薄膜工学
  
  大山 英典(オオヤマ ヒデノリ)
  １９８２年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９１年熊本電波高専助教授、工学博士。１９９２年文部科学省長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。１９９３年ＩＭＥＣ客員研究員。２０００年熊本電波高専教授、現在に至る。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構
  
  葉山 清輝(ハヤマ キヨテル)
  １９９１年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９１年熊本電波高専助手。１９９７年博士（工学）。２０００年熊本電波高専助教授。２００３年文部科学省長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。専門分野はシリコンデバイス、半導体デバイスの放射線損傷機構

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