パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際―MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 [単行本]

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際―MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 の 商品概要

• 要旨(「BOOK」データベースより）

  ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）は、ＭＯＳ　ＦＥＴとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このＩＧＢＴの活用方法について詳細に解説しています。

• 目次(「BOOK」データベースより）

  第１章　ＩＧＢＴの基礎知識
  第２章　ゲート・ドライブ回路の設計
  第３章　保護回路の設計と並列接続
  第４章　放熱設計方法
  第５章　ノイズ低減対策技術
  第６章　トラブル発生時の対処方法
  第７章　インテリジェント・パワー・モジュールＩＰＭ

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  五十嵐 征輝(イガラシ セイキ)
  １９６０年北海道生まれ。１９８４年明治大学大学院工学研究科博士前期課程修了、富士電機株式会社入社。２０００年東京都立大学大学院電気工学科博士課程修了、博士（工学）。現在、富士電機システムズ株式会社モジュール技術部ＩＧＢＴモジュールの開発に従事。電気学会上級会員、２０１０年電気学会産業応用部門大会論文委員長

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際―MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 の商品スペック