ベーシック 表面化学 [単行本]

ベーシック 表面化学 [単行本] の 商品概要

• 目次

  【主要目次】　
  第1章　表面の化学
  章末問題
  第2章　吸着過程
  2.1　吸着過程－表面への分子の入射－
  2.2　付着確率と吸着速度論
  章末問題
  第3章　表面の構造
  3.1　理想表面の構造
  3.2　二次元格子の命名法
  3.3　表面における構造緩和
  3.4　表面再構成
  パネル　表面電子回折
  章末問題
  第4章　表面の電子状態
  4.1　原子・分子軌道からバンドへ
  4.2　自由電子からバンドへ
  4.3　金属，絶縁体，半導体
  4.4　表面における電子状態密度
  4.5　表面状態
  4.6　仕事関数
  パネル　光電子分光
  パネル　表面分析とPropstダイアグラム
  章末問題
  第5章　電子論と吸着モデル
  5.1　物理吸着
  5.2　化学吸着
  パネル　X線吸収分光法とX線発光分光法
  章末問題
  第6章　表面ダイナミクス
  6.1　表面振動
  6.1.1　調和振動と減衰振動の復習
  6.1.2　二原子分子の振動
  6.1.3　吸着原子・分子の振動モード
  6.1.4　点群による吸着分子の振動モードの分類
  6.1.5　表面振動分光法
  6.1.6　吸着分子の振動エントロピー
  パネル　電子エネルギー損失分光法
  パネル　赤外反射吸収分光法
  6.2　表面拡散
  6.2.1　活性化エネルギーと拡散移動度
  6.2.2　過渡的表面拡散
  6.2.3　表面拡散を観測する実験法
  6.3　分子の反応
  6.4　分子の脱離
  パネル　熱脱離質量分析
  6.5　表面励起過程
  6.5.1　はじめに
  6.5.2　表面における価電子励起過程とポテンシャルエネルギー
  6.5.3　内殻励起とそれに伴う表面原子・分子の動的過程
  6.5.4　表面光反応と光脱離
  6.5.5　トンネル電子誘起過程
  6.5.6　衝突誘起表面過程
  6.6　表面における薄膜成長
  6.6.1　薄膜の成長様式
  6.6.2　表面張力と“ぬれ”の現象論
  6.6.3　薄膜成長の観察と薄膜作製
  パネル　Auger電子分光法
  章末問題
  第7章　表面反応
  7.1　会合反応－表面における化学結合の形成－
  7.1.1　会合反応の機構
  7.1.2　会合反応の速度論
  7.2　解離－表面における結合の切断－
  7.2.1　解離の機構
  7.2.2　解離のダイナミクス
  7.2.3　解離のサイト
  7.2.4　解離吸着の速度論
  7.3　吸着脱離平衡
  7.3.1　Langmuirの吸着等温式
  7.3.2　吸着平衡定数と吸着熱
  7.3.3　解離吸着での吸着脱離平衡
  7.3.4　競争吸着
  7.4　付着確率を用いた吸着速度式
  7.5　表面化合物
  7.5.1　化学吸着熱と酸化物の標準生成熱
  パネル　BET吸着式
  章末問題
  第8章　固体触媒反応
  8.1　固体触媒反応の概念
  8.2　固体触媒反応の速度論
  8.2.1　会合反応律速の場合
  8.2.2　吸着律速の場合
  8.3　固体触媒反応のメカニズム
  8.3.1　COの酸化
  8.3.2　メタノール合成
  8.4　触媒反応のミクロキネティクス
  8.5　表面構造依存性
  8.6　光触媒
  8.6.1　半導体光触媒
  パネル　高圧触媒反応器付真空装置
  パネル　X線吸収微細構造
  章末問題
  第9章　金属表面の化学
  9.1　金属の一般的な性質
  9.2　金属表面の反応性とdバンド中心
  9.3　金属表面の緩和
  パネル　第一原理計算
  9.4　吸着で誘起される表面再構成
  9.5　表面電子による定在波
  9.6　表面拡散
  9.7　単一分子の振動分光
  9.8　メタルオンメタルエピタキシー
  9.9　金属表面における水分子
  9.10　ホットアトム
  パネル　走査トンネル顕微鏡
  章末問題
  第10章　半導体表面の化学
  10.1　半導体デバイスの歴史と表面・界面研究
  10.2　半導体とは
  10.3　半導体表面の構造と電子状態
  10.4　Si(100)表面の物性
  10.5　Si(100)表面における化学反応
  10.5.1　Si(100)表面におけるLewis酸塩基反応
  10.5.2　Si(100)表面への環化付加反応
  10.6　Si(111) (7×7)表面における化学反応
  10.7　シリコン表面の酸化反応と界面状態
  章末問題
  第11章　酸化物表面の化学
  11.1　酸化物の表面欠陥
  11.2　反応中に変貌する触媒表面のその場観察
  11.3　室温でも動く酸化物表面の格子酸素
  11.4　酸化物表面との相互作用による担持金属原子の電子状態変化
  11.5　Auを酸化物に担持することで発現する触媒作用
  11.6　金属微粒子/酸化物界面での酸素吸蔵とその反応性
  11.7　圧力ギャップに起因する触媒活性の変化
  パネル　原子間力顕微鏡
  章末問題
  第12章　表面の化学設計と機能
  12.1　自己組織化
  12.2　CNTの電子状態と表面化学
  12.3　合金化と触媒作用
  12.4　活性構造の設計と触媒作用
  12.4.1　はじめに
  12.4.2　表面の分子レベル化学的設計法
  12.4.3　表面活性構造のキャラクタリゼーション法
  12.4.4　設計表面の触媒反応
  章末問題
  もっと学習するために
  索引

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  岩澤 康裕(イワサワ ヤスヒロ)
  １９４６年埼玉県生まれ。１９６８年東京大学理学部卒業、１９７２年東京大学大学院理学系研究科博士課程中退。同年横浜国立大学工学部助手、１９７７年同講師、１９８１年同助教授、１９８４年東京大学理学部助教授を経て、１９８６年東京大学理学部教授。２００９年東京大学名誉教授。現在、電気通信大学情報理工学部教授。理学博士。専門は触媒化学、表面科学
  
  中村 潤児(ナカムラ ジュンジ)
  １９５７年北海道生まれ。１９８３年北海道大学工学部卒業、１９８８年北海道大学大学院理学研究科博士課程修了。同年インディアナ大学博士研究員、１９８９年ワシントン大学博士研究員、１９９０年筑波大学物質工学系講師、１９９５年同助教授を経て、筑波大学大学院数理物質科学研究科教授。理学博士。専門は触媒化学、表面科学
  
  福井 賢一(フクイ ケンイチ)
  １９６６年神奈川県生まれ。１９８９年東京大学理学部卒業、１９９４年東京大学大学院理学系研究科博士課程修了。同年東京大学大学院理学系研究科助手、２００１年同講師、２００２年東京工業大学大学院理工学研究科助教授、２００７年同准教授を経て、大阪大学大学院基礎工学研究科教授。博士（理学）。専門は表面物理化学
  
  吉信 淳(ヨシノブ ジュン)
  京都府生まれ。１９８４年京都大学理学部卒業、１９８９年京都大学大学院理学研究科博士課程修了。同年ピッツバーグ大学博士研究員、１９９１年理化学研究所基礎特別研究員、１９９２年理化学研究所研究員、１９９６年同副主任研究員、１９９７年東京大学物性研究所助教授を経て、東京大学物性研究所教授。理学博士。専門は表面科学、表面・界面の分光

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