電子デバイスの基礎と応用 [単行本]

電子デバイスの基礎と応用 [単行本] の 商品概要

• 目次（「BOOK」データベースより）

  第１部　電子基礎デバイス（情報・通信と電子デバイス
  固体のエネルギーバンドと電子の分布
  半導体中での電子、正孔の流れと生成、再結合
  ｐｎ接合とショットキー接合
  バイポーラ・トランジスタ
  ＭＯＳＦＥＴ）
  第２部　電子応用デバイス（電荷結合デバイスとイメージ・センサ
  メモリ、記録
  ディスプレイ
  ３‐５族化合物半導体
  通信マイクロ波デバイス
  光デバイス
  集積回路：ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ））

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  長谷川 文夫(ハセガワ フミオ)
  １９６３年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６５年東北大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了、日本電気（株）中央研究所入社。１９７３年工学博士（東北大学）、英国シェッフィールド大学研究員。１９７８年日本電気（株）中央研究所電子デバイス研究部研究課長。１９８１年筑波大学物質工学系助教授。１９８８年筑波大学物質工学系（後に物理工学系）教授。２００４年工学院大学電子工学科教授。現在、筑波大学名誉教授
  
  本田 徹(ホンダ トオル)
  １９８８年東京理科大学理工学部物理学科卒業。１９９３年東京工業大学総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了、博士（工学）、東京工業大学精密工学研究所助手。１９９６年工学院大学工学部電子工学科専任講師。２０００年工学院大学工学部電子工学科助教授。２００６年工学院大学工学部情報通信工学科教授。現在、工学院大学工学部情報通信工学科教授

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