集積回路工学(series電気・電子・情報系〈3〉) [全集叢書]

集積回路工学(series電気・電子・情報系〈3〉) の 商品概要

• 要旨（「BOOK」データベースより）

  本書は現在の中心デバイスであるＣＭＯＳ集積回路について、従来の著書と同じ立場から、半導体物性、トランジスタから出発し、基礎的な部分を中心に回路設計まで含めて説明されているが、応用に近い分野は十分に扱われていない。したがって集積回路の最も基本部分の解説書であり、大学の学部、大学院、高等専門学校の教科書や若手技術者の入門書や参考書である。

• 目次

  1　MOS LSI概観
  1.1　LSIの歴史
  1.2　LSIの特徴
  
  2　半導体物性の基礎
  2.1　シリコン基板
  2.2　pn接合
  
  3　MOS構造
  3.1　エネルギーバンド構造
  3.2　しきい値電圧
  3.3　CV特性
  3.4　CVプロット解析
  
  4　MOSトランジスタ
  4.1　トランジスタの基本特性
  4.2　トランジスタの詳細特性
  4.3　しきい値電圧VT
  
  5 MOSサイズ効果
  5.1　不均一不純物分布トランジスタのしきい値電圧
  5.2　ショートチャネル効果
  
  6　MOSインバータ特性
  6.1　MOSインバータの基礎
  6.2　CMOSインバータ
  6.3　CMOSインバータのスイッチング特性
  
  7　MOS ICの構成要素
  7.1　内部配線の抵抗と静電容量
  7.2　内部配線のインダクタンス
  
  8　MOS ICの製造技術
  8.1　メタルゲートプロセス
  8.2　シリコンゲートプロセス
  8.3　高性能プロセス
  
  9　MOS ロジック回路
  9.1　ロジック回路の概要
  9.2　CMOSゲート回路
  9.3　CMOSロジックの構成方法
  
  10　CMOS メモリ
  10.1　メモリの種類
  10.2　ランダムアクセスメモリ
  10.3　リードオンメモリ
  
  11　LSI の設計
  11.1　LSIの設計方法
  11.2　シミュレータ
  11.3　合成ツール
  
  12　歩留，信頼性
  12.1　歩留　
  12.2　信頼性

• 内容紹介

  半導体物理学から回路設計までに至る広範な分野をまとめ、重要でしかも基礎的事項に絞り、概念的にわかりやすく解説した。

集積回路工学(series電気・電子・情報系〈3〉) の商品スペック