半導体デバイスの基礎 中 [単行本]

半導体デバイスの基礎 中 [単行本] の 商品概要

• 目次

  第II部　ダイオード　
  　第５章　理想的なｐｎホモ接合
  　　５．１　はじめに
  　　５．２　理想的なｐｎ接合（定性的議論）
  　　５．３　理想的なｐｎホモ接合（定量的議論）
  　　５．４　理想的なホモ接合の小信号インピーダンス
  　　５．５　過渡的な効果
  　　５．６　温度の効果
  　　５．７　まとめ
  　　５．８　付録の参考文献リストについて　
  　　５．９　復習のポイント
  　　５．10　練習問題
  　第６章　一般のダイオード
  　　６．１　はじめに
  　　６．２　非段差ホモ接合
  　　６．３　半導体ヘテロ接合
  　　６．４　金属―半導体接合
  　　６．５　理想的でない接合やヘテロ接合の容量
  　　６．６　まとめ
  　　６．７　付録の参考文献リストについて
  　　６．８　第６章の参考文献
  　　６．９　復習のポイント
  　　６．10　練習問題
  　補遺２：ダイオードに関する補足
  　　Ｓ２．１　はじめに
  　　Ｓ２．２　誘電緩和時間　
  　　Ｓ２．３　接合容量
  　　Ｓ２．４　Schottkyダイオードにおける２次的効果
  　　Ｓ２．５　ダイオードのSPICEモデル
  　　Ｓ２．６　まとめ
  　　Ｓ２．７　付録の参考文献リストについて
  　　Ｓ２．８　補遺２の参考文献
  　　Ｓ２．９　練習問題
  第III部　電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
  　第７章　ＭＯＳＦＥＴ
  　　７．１　はじめに
  　　７．２　ＭＯＳＦＥＴ（定性的議論）
  　　７．３　ＭＯＳＦＥＴ（定量的議論）
  　　７．４　長チャネルモデルと実験結果の比較
  　　７．５　まとめ
  　　７．６　付録の参考文献リストについて
  　　７．７　第７章の参考文献
  　　７．８　復習のポイント
  　　７．９　練習問題
  　第８章　ＦＥＴに関する追加的な考察
  　　８．１　はじめに
  　　８．２　閾値電圧と低電界移動度の測定
  　　８．３　閾下領域における漏れ電流
  　　８．４　相補型ＭＯＳＦＥＴ（ＣＭＯＳ）
  　　８．５　ＣＭＯＳインバーター回路におけるスイッチ操作
  　　８．６　ＭＯＳＦＥＴの等価回路
  　　８．７　電流利得と遮断周波数fT
  　　８．８　短チャネル効果
  　　８．９　ＭＯＳＦＥＴのスケーリング（寸法規則）
  　　８．10　絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）
  　　８．11　他のＦＥＴ
  　　８．12　まとめ
  　　８．13　付録の参考文献リストについて
  　　８．14　第８章の参考文献
  　　８．15　復習のポイント
  　　８．16　練習問題
  　補遺３：ＭＯＳデバイスに関する補足
  　　Ｓ３．１　はじめに
  　　Ｓ３．２　チャネル電荷Qchに関する注意
  　　Ｓ３．３　ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧
  　　Ｓ３．４　低電界移動度に関する普遍的な関係式
  　　Ｓ３．５　VTの測定
  　　Ｓ３．６　長チャネルＭＯＳＦＥＴのVTとμ1fを求める別の方法
  　　Ｓ３．７　ＭＯＳキャパシター
  　　Ｓ３．８　ＭＯＳキャパシターの混成図
  　　Ｓ３．９　デバイスの劣化
  　　Ｓ３．10　ＭＯＳＦＥＴの低温動作
  　　Ｓ３．11　ＳＰＩＣＥによるＭＯＳＦＥＴの特性の計算
  　　Ｓ３．12　まとめ
  　　Ｓ３．13　付録の参考文献リストについて
  　　Ｓ３．14　補遺３の参考文献
  　　Ｓ３．15　復習のポイント
  　　Ｓ３．16　練習問題
  　

• 出版社からのコメント

  中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性の誘電緩和過程の検討の説明。後半では電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を解説。

• 内容紹介

  半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性について、誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では代表的な３端子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして現実的な微細素子の特性に至るまで論じる。ＣＭＯＳ回路やメモリー（記憶装置）への応用も簡単に紹介。

半導体デバイスの基礎 中 [単行本] の商品スペック