技術者のための特許事始―半導体技術を中心として [単行本]

技術者のための特許事始―半導体技術を中心として [単行本] の 商品概要

• 目次(「BOOK」データベースより）

  １　発明と特許について
  ２　特許の光と影
  ３　ケーススタディ：筆者の出願を中心に
  ４　銅鉄主義は大いに勧める
  ５　強い特許を書くために
  ６　発明の記述ドリル
  ７　発明ドリル解答例

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  角南 英夫(スナミ ヒデオ)
  １９６７年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６９年東北大学大学院工学研究科修士課程修了（電子工学専攻）。１９６９年株式会社日立製作所中央研究所入所。１９７３～７４年米国スタンフォード大学電子工学研究所研究助手。１９８０年工学博士（東北大学）。１９９４～９６年Ｈｉｔａｃｈｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＵＳ）Ｉｎｃ．出向、Ｔｅｘａｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　Ｉｎｃ．勤務。１９９８年広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授。２００２年次世代半導体材料技術研究組合技術顧問兼務。２００７年広島大学名誉教授。２００７年広島大学半導体・バイオ融合集積化技術の構築プロジェクト特任教授。１９８５年米国ＩＥＥＥ電子デバイス分科会年間最優秀論文賞（１９８４　Ｐａｕｌ　Ｒａｐｐａｐｏｒｔ　Ａｗａｒｄ）。１９９１年米国ＩＥＥＥフィールド賞（１９９１　Ｃｌｅｄｏ　Ｂｒｕｎｅｔｔｉ　Ａｗａｒｄ）。１９９１年関東地方発明奨励賞「溝形キャパシタＤＲＡＭセル」。１９９５年関東地方発明知事賞「ダブルバランスＣＭＯＳセンスアンプ回路」。１９９８年米国ＩＥＥＥ　Ｆｅｌｌｏｗ。１９９８年東京都発明研究功労者表彰。２００３年電子情報通信学会フェロー。２００６年米国ＩＥＥＥ　Ｊｕｎ‐ｉｃｈｉ　Ｎｉｓｈｉｚａｗａ　Ｍｅｄａｌ。２００７年応用物理学会フェロー

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