強誘電体デバイス [単行本]

強誘電体デバイス [単行本] の 商品概要

• 目次（「BOOK」データベースより）

  必要な予備知識
  強誘電体の一般論
  強誘電体の数学的取り扱い
  材料およびデバイス設計と製造プロセス
  高誘電率誘電体
  強誘電体メモリデバイス
  焦電デバイス
  圧電デバイス
  電気光学デバイス
  ＰＴＣ材料
  複合材料
  強誘電体デバイスの将来

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  内野 研二(ウチノ ケンジ)
  １９５０年東京都に生まれる。１９７５年東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻修了。１９７６年東京工業大学工学部助手。１９７８年米国ペンシルベニア州立大学材質研究所研究員。１９８５年上智大学理工学部物理学科助教授。１９９１年米国ペンシルベニア州立大学工学部電気工学科教授。１９９２年同大学国際アクチュエータ・トランスデューサ研究所所長兼任。２００４年マイクロメカトロニクス社（米国）上級副社長兼職。工学博士。その間、宇宙開発事業団（ＮＡＳＤＡ）スペースシャトル利用委員会専門委員、東京セーバー電子株式会社監査役、ＮＦ回路設計ブロックシステム技術研究所副所長、ＮＦ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、ＵＳＡ副社長、通商産業省（現経済産業省）外郭日本工業技術振興協会固体アクチュエータ研究部会（現スマートアクチュエータ／センサ委員会）委員長を歴任
  
  石井 孝明(イシイ タカアキ)
  １９６４年千葉県に生まれる。１９９０年上智大学大学院理工学研究科物理学専攻修了。１９９０年アルプス電気株式会社（日本）入社。１９９４年東京工業大学精密工学研究所助手。２００２年山梨大学工学部機械システム工学科助手。２００３年山梨大学大学院医学工学総合研究部工学学域助手。博士（工学）

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