抵抗変化メモリの知的材料設計－計算機マテリアルデザイン先端研究事例2(大阪大学新世紀レクチャー) [単行本]

抵抗変化メモリの知的材料設計－計算機マテリアルデザイン先端研究事例2(大阪大学新世紀レクチャー) の 商品概要

• 目次

  1．序論
  1‒1．計算機マテリアルデザイン
  1‒2．不揮発性メモリの発展
  1‒3．抵抗変化メモリの概要
  1‒4．抵抗変化メモリの課題
  2．抵抗変化メモリの電子状態
  2‒1．緒　言
  2‒2．遷移金属酸化物の電子状態
  2‒3．電極の電子状態
  2‒4．電極／遷移金属酸化物界面の電子状態
  2‒5．結論
  3．抵抗変化メモリの動作原理の解明
  3‒1．緒言
  3‒2．酸素欠損および電子トラップの役割
  3‒3．電極／遷移金属酸化物界面の抵抗変化
  3‒4．外部電場の効果
  3‒5．結論
  4．抵抗変化メモリのデザイン
  4‒1．緒言
  4‒2．電極に用いる材料のデザイン
  4‒3．遷移金属酸化物材料のデザイン
  4‒4．動作原理の阻害要因の検討
  4‒5．結論
  5．総括
  5‒1．抵抗変化メモリの動作原理と設計方法
  5‒2．シミュレーションによる知的設計
  参考文献
  付録　伝導パスの形成について
  1．遷移金属内包カーボンナノチューブ
  2．異種遷移金属酸化物薄膜
  付録：参考文献
  索引

• 出版社からのコメント

  絶縁体のバンドギャップの変化や異なる物質の境界における電子・原子の状態変化が，どのようにデバイスの動作に結び付くのか

• 内容紹介

  統計的相関，力学的相関のため，金属中の電子はその周りに正孔を伴って運動している．金属から真空中へ電子を取り出そうとすると，この正孔が抵抗する．仕事関数の主な原因である．それでも，電子を取り出してしまうと，正孔が取り残される．これと電子間に鏡像力が働く．金属と真空との境界近傍の一つの現象である．
  絶縁体の電子の運動は，どうか．価電子帯の電子は正孔を伴っているのでエネルギーが低いが，伝導体の電子の周りには正孔がないのでエネルギーが高くなる．この差がバンドギャップの主な原因である．このような絶縁体と金属との境界付近では，金属電子が絶縁体の価電子帯の正孔を遮蔽するので，バンドギャップを消失する．界面近傍で見られる金属・絶縁体転移である．
  　
  　 このように，異なる物質の境界では，電子状態の多様性を見出すことができる．物質を構成する原子も境界近傍では，多様な振舞いを見せる．ここで取り上げる抵抗変化メモリでは，このような電子・原子の多様性をうまく利用しようとしている．
  
  　 本著では，計算機マテリアルデザイン（CMDR）による先端研究事例Ⅱとして，抵抗変化メモリの知的材料設計をとりあげ，絶縁体のバンドギャップの変化や異なる物質の境界（電極／遷移金属酸化物界面）における電子・原子の状態変化が，どのようにデバイスの動作に結び付くのかについて紹介する．読者の皆様には，電子・原子といった微細なスケールから物理現象を明らかにし，デバイスをデザインする面白さを実感して頂きたい．
  （本書はじめにより）

• 著者について

  笠井秀明 (カサイ　ヒデアキ)
  大阪大学大学院工学研究科教授
  
  岸浩史 (キシ　ヒロフミ)
  ダイハツ工業株式会社

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