SOI Lubistorの物理学と応用 [単行本]

SOI Lubistorの物理学と応用 [単行本] の 商品概要

• 目次

  第１部　pn接合デバイスの歴史の概要と近年のデバイス応用例
  第２部　SOI Lubistorの物理学とモデルの検討
  　　　　―厚い半導体層のデバイス―
  第３部　SOI Lubistorの物理学とモデルの検討
  　　　　―薄い半導体層のデバイス―
  第４部　回路応用
  第５部　SOI Lubistorの光学デバイス応用
  第６部　試験、評価手段としてのSOI Lubistor
  第７部　SOI Lubistorの将来にわたる発展の見通し
  第８部　半導体デバイス解析のためのデバイス物理学及び数学のまとめ
  本著を構成する原著論文等
  索　引

• 内容紹介

  IBMがSOI基板技術をLSIとして2001年に実用化した時、静電破壊保護用半導体デバイスとしてLubistorが採用された。Lubistorはその後最先端半導体デバイスであるトンネルFETとして注目されている。今後の応用開拓のためLubistorの提案の経緯から現在までの発展過程を詳細に説明する。

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  大村 泰久(オオムラ ヤスヒサ)
  １９４９年岡山県生まれ。１９７５年九州大学大学院工学研究科修士課程応用物理学専攻修了。１９７５年日本電信電話公社入社、武蔵野電気通信研究所配属。１９９７年関西大学工学部電子工学科教授。２００１年‐２００４年関西大学ハイテクリサーチセンター長。２００７年関西大学システム理工学部電気電子情報工学科教授。２００８年‐２０１２年関西大学評議員。２０１０年ＩＥＥＥ　Ｆｅｌｌｏｗ。現在、関西大学システム理工学部教授

SOI Lubistorの物理学と応用 [単行本] の商品スペック