ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) [全集叢書]
ショッピングカートに入れる

    • ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) [全集叢書]

    • ￥5,060152 ゴールドポイント（3％還元）
    • お取り寄せ
ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) [全集叢書]
100000009002930294

ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) [全集叢書]

価格：￥5,060（税込）
ゴールドポイント：152 ゴールドポイント（3％還元）（￥152相当）
お届け日：お取り寄せこの商品は、日時を指定できません。［届け先変更］詳しくはこちら
出版社：朝倉書店
販売開始日： 2018/03/10
お取り扱い： のお取り扱い商品です。
ご確認事項：返品不可

カテゴリランキング

店舗受け取りが可能です
マルチメディアAkiba、マルチメディア梅田、マルチメディア博多にて24時間営業時間外でもお受け取りいただけるようになりました

ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) の 商品概要

  • 目次（「BOOK」データベースより）

    １　はじめに
    ２　半導体のキャリヤ輸送
    ３　フラックスを用いたキャリヤ輸送の解析
    ４　古典的なＭＯＳＦＥＴの理論
    ５　バリスティックなＭＯＳＦＥＴの理論
    ６　準バリスティックなＭＯＳＦＥＴへの拡張
    ７　微細系のＭＯＳキャパシタンス
    ８　ＭＯＳトランジスタの微細化限界

  • 出版社からのコメント

    黎明期以降の素子の微細化期に焦点を当て、極微スケールでのトランジスタの機構・物理を解説。

  • 内容紹介

    黎明期以降のトランジスタの発展，すなわち集積回路の高集積化に対応する極微スケールでの動作機構や物理を解説。〔内容〕半導体のキャリヤ輸送／解析／古典的なMOSFET／バリスティックなMOSFET／微細系のキャパシタンス／他

  • 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

    名取 研二(ナトリ ケンジ)
    １９４５年山梨県に生まれる。１９７４年東京大学大学院物理学研究科博士課程修了。１９９０年（株）東芝ＵＬＳＩ研究所研究部長。１９９４年筑波大学物理工学系教授。２００９年東京工業大学特任教授を経て、筑波大学名誉教授。応用物理学会フェロー。理学博士

  • 著者について

    名取研二 (ナトリケンジ)
    前筑波大

ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) の商品スペック

商品仕様
出版社名：朝倉書店
著者名：名取 研二（著）
発行年月日：2018/03/25
ISBN-10：4254226446
ISBN-13：9784254226447
判型：A5
対象：専門
発行形態：全集叢書
内容：電気
言語：日本語
ページ数：173ページ
縦：22cm
他の朝倉書店の書籍を探す

    朝倉書店 ナノスケール・トランジスタの物理(朝倉電気電子工学大系〈4〉) [全集叢書] に関するレビューとＱ＆Ａ

    商品に関するご意見やご感想、購入者への質問をお待ちしています！