基礎からの半導体デバイス(実用理工学入門講座) [単行本]

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基礎からの半導体デバイス(実用理工学入門講座) [単行本]

和保 孝夫(共著)澤田 孝幸(共著)佐々木 公洋(共著)北川 章夫(共著)深山 正幸(共著)
価格:¥2,420(税込)
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出版社:日新出版
販売開始日: 2008/04/01
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基礎からの半導体デバイス(実用理工学入門講座) [単行本] の 商品概要

  • 目次(「BOOK」データベースより)

    第1章 序論
    第2章 半導体の電気的特性とpn接合
    第3章 電界効果型トランジスタ
    第4章 CMOSインバータ
    第5章 CMOS論理回路
    第6章 LSIの設計
    第7章 pn接合:バイポーラトランジスタの理解のために
    第8章 バイポーラトランジスタ
  • 著者紹介(「BOOK著者紹介情報」より)(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)

    和保 孝夫(ワホ タカオ)
    1975(昭和50)年早稲田大学大学院理工学研究科(物理学および応用物理学専攻修士課程)修了。同年、日本電信電話公社(現在のNTT)入社。武蔵野電気通信研究所勤務。1988(昭和63)年NTT LSI研究所主幹研究員。1999(平成11)年上智大学理工学部教授となり、現在に至る。理学博士。専門は電子デバイス、集積回路

    澤田 孝幸(サワダ タカユキ)
    1977(昭和52)年北海道大学大学院工学研究科(電気工学専攻修士課程)修了。1978(昭和53)年北海道大学助手、1987(昭和62)年電気通信大学講師、翌年同准教授、1991(平成3)年北海道大学教授を経て、1994(平成6)年北海道工業大学教授となり、現在に至る。博士(工学)。専門は半導体物性・デバイス

    佐々木 公洋(ササキ キミヒロ)
    1983(昭和58)年宮崎大学大学院工学研究科(電気工学専攻修士課程)修了。同年東京工業大学助手、1993(平成5)年金沢大学講師、1995(平成7)年准教授、2006(平成18)年教授となり、現在に至る。博士(工学)。専門は、半導体デバイス

    北川 章夫(キタガワ アキオ)
    1987(昭和62)年名古屋工業大学大学院工学研究科(電気情報工学修士課程)修了。1989(平成1)年金沢大学助手、1995(平成7)年同講師、1997(平成9)同准教授、1999(平成11)年東京大学大規模集積システム設計教育研究センター(VDEC)准教授、2001(平成13)年金沢大学大学院自然科学研究科准教授となり、現在に至る。工学博士。専門は、VLSI工学

    深山 正幸(フカヤマ マサユキ)
    1988(昭和63)年筑波大学第三郡情報学類卒業。1988(昭和63)年(株)PEF入社。1995(平成7)年北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科情報システム学専攻博士前期課程修了。1996(平成8)年イノテック株式会社入社。2000(平成12)年金沢大学工学部電気・情報工学科助手、2006(平成18)年金沢大学大学院自然科学研究科講師となり、現在に至る。博士(工学)。専門は、VLSI工学

基礎からの半導体デバイス(実用理工学入門講座) [単行本] の商品スペック

商品仕様
出版社名:日新出版
著者名:和保 孝夫(共著)/澤田 孝幸(共著)/佐々木 公洋(共著)/北川 章夫(共著)/深山 正幸(共著)
発行年月日:2008/04/30
ISBN-10:4817302321
ISBN-13:9784817302328
判型:A5
対象:一般
発行形態:単行本
内容:電気
ページ数:172ページ
縦:21cm
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