シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本]
ショッピングカートに入れる

    • シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本]

    • ￥5,500165 ゴールドポイント（3％還元）
    • 在庫あり2026年1月20日火曜日までにヨドバシエクストリームサービス便（無料）がお届け
シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本]
100000009004093291

シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本]



ゴールドポイントカード・プラスのクレジット決済で「書籍」を購入すると合計12％ゴールドポイント還元！【合計12％還元】書籍の購入はゴールドポイントカード・プラスのクレジット決済がお得です。
通常3％ゴールドポイント還元のところ、後日付与されるクレジット決済ポイント（1％）と特典ポイント（6％）、さらにご利用明細WEBチェックにご登録いただくと2％追加して合計12％ゴールドポイント還元！詳しくはこちら

価格：￥5,500（税込）
ゴールドポイント：165 ゴールドポイント（3％還元）（￥165相当）
お届け日：在庫あり今すぐのご注文で、2026年1月20日火曜日までにヨドバシエクストリームサービス便（無料）がお届けします。［届け先変更］詳しくはこちら
出版社：近代科学社
販売開始日： 2025/03/28
お取り扱い： のお取り扱い商品です。
ご確認事項：返品不可

カテゴリランキング

店舗受け取りが可能です
マルチメディアAkiba、マルチメディア梅田、マルチメディア博多にて24時間営業時間外でもお受け取りいただけるようになりました

シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本] の 商品概要

  • 目次

    第1部 ドーピングの基礎
    第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価
    第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御
    第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり
    第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ
    第5章 放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析

    第2部 ナノシリコンデバイス
    第6章 シリコンデバイスへのドーピング技術の事共
    第7章 シリコンナノ結晶への不純物ドーピング
    第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価
    第9章 シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化

    第3部 パワー半導体
    第10章 パワー半導体とドーピング技術
    第11章 パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開
    第12章 パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析
    第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦

  • 出版社からのコメント

    ドーピングにより生じるシリコン内の現象を深く理解できる

  • 内容紹介

    本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。シリコンナノエレクトロニクスおよびシリコンパワー半導体技術の両方に対して、ドーピングに伴って起こるさまざまな現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服するかという技術展開を詳述しています。

シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本] の商品スペック

商品仕様
出版社名：近代科学社Digital
著者名：応用物理学会半導体分野将来基金委員会（編）
発行年月日：2025/02/28
ISBN-10：4764907186
ISBN-13：9784764907188
判型：B5
発売社名：近代科学社
対象：専門
発行形態：単行本
内容：電気
言語：日本語
ページ数：366ページ
縦：26cm
横：18cm
厚さ：2cm
他の近代科学社の書籍を探す

    近代科学社 シリコンに導入されたドーパントの物理 [単行本] に関するレビューとＱ＆Ａ

    商品に関するご意見やご感想、購入者への質問をお待ちしています！