電子スピン共鳴の基礎と応用 [単行本]

電子スピン共鳴の基礎と応用 [単行本] の 商品概要

• 目次

  序 文
  
  第１章　電子スピン共鳴の基礎
  1.1　序　論
  1.2　磁気モーメントの運動
  1.3　Bloch方程式（現象論），分散と吸収
  1.4　電子スピン共鳴による占有数の変化
  1.5　g値の理論的考察
  1.6　線　幅
  1.6.1　双極子相互作用による線幅
  1.6.2　量子論的考察
  1.6.3　同種スピン間双極子相互作用による線幅
  1.6.4　空間的にランダムに分布する希薄な同種スピン間の相互作用
  1.6.5　一定の距離を隔てて分布する2種のスピン間の相互作用
  1.6.6　運動による線幅の先鋭化 (motional narrowing)
  1.6.7　交換相互作用による線幅の先鋭化(exchange narrowing)
  1.7　磁気緩和
  1.7.1　縦磁気緩和
  1.7.2　横磁気緩和
  参考文献
  
  第２章　電子スピン共鳴の測定
  2.1　序　論
  2.2　測定の基本原理
  2.3　測定装置
  2.3.1　電磁波源
  2.3.2　空洞共振器（キャビティ）
  2.3.3　外部磁場（静磁場）
  2.3.4　変調系と検出系
  2.4　ESRの測定
  2.4.1　試　料
  2.4.2　照射，温度変化，ならびに応力（ストレス）下の測定
  2.4.3　感　度
  2.5　強度と線形
  2.6　ESR測定から得られる情報
  2.7　ESRとコンピューター
  2.7.1　ESR分光計とコンピューター
  2.7.2　ESRデータのコンピューター処理
  参考文献
  
  第３章　電子スピン共鳴の解析
  3.1　序　論
  3.2　スピン・ハミルトニアンのパラメーター
  3.2.1　g値
  3.2.2　微細構造
  3.2.3　超微細構造
  3.2.4　ESR線幅
  3.2.5　緩和時間
  3.2.6　信号強度
  3.3　応用例
  3.3.1　CdS: Feにおける電子スピン共鳴
  3.3.2　水素化アモルファスシリコンにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
  参考文献
  
  第４章　電子核二重共鳴
  4.1　序　論
  4.2　原　理
  4.3　水素化アモルファスシリコン (a-Si:H) におけるダングリングボンド電子のENDOR
  4.4　水素化アモルファスシリコンにおける自己束縛正孔のENDOR
  参考文献
  
  第５章　金属ならびに半導体における電子スピン共鳴
  5.1　序　論
  5.2　金属における電子スピン共鳴
  5.2.1　伝導電子の電子スピン共鳴
  5.2.2　伝導電子による帯磁率
  5.2.3　スピン波共鳴
  5.3　半導体における電子スピン共鳴
  5.3.1　半導体における電子状態
  5.3.2　ドナー電子状態
  5.3.3　Ge, Siにおける電子のg値
  5.3.4　ドナー電子のスピン-格子緩和時間
  5.3.5　Ge, Siにおけるスピン-格子緩和時間
  5.3.6　伝導電子を通じてのドナー電子のスピン-格子緩和過程
  5.3.7　CdSにおけるドナー電子スピン共鳴
  5.3.8　CdSにおける格子欠陥の電子スピン共鳴
  5.3.9　III-V化合物半導体における伝導電子の電子スピン共鳴
  参考文献
  
  第６章　パルス電子スピン共鳴
  6.1　序　論
  6.2　スピンエコー法
  6.3　スピンエコーの核変調効果 (electron spin echo envelope modulation: ESEEM)
  6.3.1　実験例
  6.4　パルス電子核二重共鳴
  6.4.1　パルス電子核二重共鳴の方法
  6.4.2　実験例
  6.5　a-Si:Hにおける水素に関係した磁気中心モデル
  6.6　ラビ振動
  6.6.1　実験例
  6.7　a-Si:Hにおける再結合過程と再結合中心
  参考文献
  
  第７章　物理現象を用いた電子スピン共鳴検出法
  7.1　序　論
  7.2　光学現象
  7.2.1　ルミネッセンス
  7.2.2　光誘起吸収
  7.2.3　ラマン散乱
  7.2.4　光学現象として，その他の現象を用いた電子スピン共鳴検出法
  7.2.5　光検出電子核二重共鳴法
  7.3　電気現象
  7.3.1　光伝導
  7.3.2　電気伝導
  7.4　音響現象
  7.4.1　音　波
  参考文献
  
  付　録　電子スピン共鳴に関する書籍リスト
  I. 国内編
  II. 国外編
  
  索　引

• 出版社からのコメント

  理工学系大学院生、研究者、技術者のための電子スピン共鳴に関する解説書。基礎的理論と、金属、半導体に対する多くの応用例を紹介。

• 内容紹介

  電子スピン共鳴の現象は、不対電子を検出する方法として、物理、化学等の分野で広く用いられている。本書では、電子スピン共鳴の基礎的理論を解説するとともに、その応用として金属、半導体に対する多くの例を紹介している。

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  森垣 和夫(モリガキ カズオ)
  １９５９大阪大学大学院理学研究科博士課程修了（理学博士）、同大学理学部、ソニー（株）研究所、フランス・サクレー原子核研究センター、東京大学物性研究所教授、山口大学工学部教授、広島工業大学工学部教授、日本大学文理学部非常勤講師を経て、東京大学名誉教授。専攻：半導体物理
  
  武田 候政(タケダ コウセイ)
  １９７１東海大学大学院工学研究科修士課程修了、２００１博士（工学）、蓮見癌研究所研究部長、同研究所副所長を経て２０１２～２０１７東海大学理学部非常勤講師。専攻：半導体工学、磁気共鳴（ＥＳＲ）

• 著者について

  森垣　和夫 (モリガキ　カズオ)
  1959 大阪大学大学院理学研究科博士課程修了（理学博士），同大学理学部，ソニー㈱研究所，フランス・サクレ―原子核研究センター，東京大学物性研究所教授，山口大学工学部教授，広島工業大学工学部教授，日本大学文理学部非常勤講師を経て　現在：東京大学名誉教授　専攻：半導体物理
  
  武田　候政 (タケダ　コウセイ)
  1971 東海大学大学院工学研究科修士課程修了，2001 博士（工学），蓮見癌研究所研究部長，同研究所副所長を経て2012～2017 東海大学理学部非常勤講師　専攻：半導体工学，磁気共鳴（ESR）

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