半導体の酸化機構と酸化膜 [単行本]
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半導体の酸化機構と酸化膜 [単行本]



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出版社:近代科学社
販売開始日: 2026/03/19
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半導体の酸化機構と酸化膜 [単行本] の 商品概要

  • 目次

    第1部 序論
    第1章 Siの熱酸化機構とSiO2特性

    第2部 ゲートスタック
    第2章 絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性―
    第3章 SiC MOS
    第4章 SiGeの酸化とMOS界面特性

    第3部 酸化過程および酸化膜解析
    第5章 Si酸化の素過程
    第6章 チャージポンピング法で見たSi/SiO2界面欠陥
    第7章 ESR分光で見る界面欠陥:SiとSiC
    第8章 共鳴核反応法による酸化膜中の水素分析

    第4部 酸化機構
    第9章 第一原理計算から見たSiの酸化機構
    第10章 Si酸化の速度論
    第11章 SiCの表面酸化機構と酸化に伴う表面現象の理解
    第12章 SiC酸化の速度論
    第13章 Geの酸化
  • 出版社からのコメント

    半導体の酸化メカニズムをしっかり理解できる!
  • 内容紹介

    酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも,酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
  • 著者について

    公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会 (コウエキシャダンホウジン オウヨウブツリガッカイ ハンドウタイブンヤショウライキキンイインカイ)
    公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会

半導体の酸化機構と酸化膜 [単行本] の商品スペック

商品仕様
出版社名:近代科学社Digital
著者名:応用物理学会半導体分野将来基金委員会(編)
発行年月日:2026/02/27
ISBN-10:4764907798
ISBN-13:9784764907799
判型:B5
発売社名:近代科学社
対象:専門
発行形態:単行本
内容:電気
言語:日本語
ページ数:408ページ
縦:26cm
横:18cm
厚さ:2cm
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