半導体技術資料集(エレクトロニクス) [単行本]

半導体技術資料集(エレクトロニクス) [単行本] の 商品概要

• 目次

  第1章　半導体ロードマップと今後の展開
  1　緒言
  2　半導体デバイスのトレンドと課題
  3　半導体トランジスタ(前工程)の進化
  4　最先端半導体パッケージ(後工程)の進化
  5　結言
  
  第2章　結晶材料プロセス
  1　半導体結晶材料プロセスの最新動向と今後の展開
  1.1　半導体結晶
  1.2　単結晶育成方法
  1.3　結晶切断方法
  1.4　鏡面研磨
  1.5　洗浄
  1.6　薄膜結晶形成
  1.7　薄膜結晶形成における工夫
  1.8　結晶材料の選択と展開の要点
  2　マルチワイヤソーによる半導体材料の切断加工
  2.1　はじめに
  2.2　マルチワイヤソー
  2.3　遊離砥粒方式のマルチワイヤソー
  2.4　固定砥粒方式マルチワイヤソー(ダイヤモンドワイヤソー)
  2.5　樹脂コーティングワイヤを用いた延性モード加工
  2.6　おわりに
  3　電界砥粒制御技術による高効率ラッピング技術
  3.1　はじめに
  3.2　電界砥粒制御技術
  3.3　電界ラッピング技術
  3.4　電界ラッピング技術による研磨特性の評価方法
  3.5　電界ラッピング技術によるサファイア基板の研磨特性
  3.6　おわりに
  
  第3章　リソグラフィ・レジスト
  1　リソグラフィの基礎
  1.1　はじめに
  1.2　リソグラフィ工程
  1.3　露光
  1.4　照明
  1.5　マスク
  1.6　反射防止膜
  1.7　ハードマスクプロセス
  2　EUVリソグラフィの現状と今後の展開
  2.1　はじめに
  2.2　EUVリソグラフィの技術課題
  2.3　EUVレジスト
  2.4　EUVマスクおよびペリクル
  2.5　今後の展開
  2.6　まとめ
  3　最新レジスト材料の動向
  3.1　半導体デバイスの微細化とレジストへの要望動向
  3.2　ArF液浸レジストの進展
  3.3　EUVリソグラフィ向け化学増幅型レジスト技術
  3.4　EUVリソグラフィにおける他のレジストアプローチ
  3.5　High NA世代に向けて
  3.6　代替パターニング手法
  3.7　KrFレジストの厚膜化
  3.8　まとめ
  4　EUVメタルレジストの動向
  4.1　はじめに
  4.2　EUVメタルレジスト開発の変遷
  4.3　最新の動向
  
  第4章　エッチング技術
  1　半導体製造におけるエッチング技術とその動向
  1.1　半導体プラズマエッチングの基礎と発展
  1.2　プロセスプラズマ
  1.3　エッチング技術における重要な概念
  1.4　プラズマエッチングの発展
  1.5　課題と展望
  1.6　おわりに
  2　半導体材料のウェットエッチング加工技術
  2.1　半導体材料のウェットエッチングの特徴
  2.2　半導体材料の代表的な溶解機構
  2.3　半導体材料のウェットエッチング加工事例
  2.4　今後の課題に対する取り組み事例
  3　プラズマエッチングにおけるプラズマダメージ発生機構
  3.1　はじめに
  3.2　プラズマ誘起ダメージの分類とその評価手法
  3.3　プラズマ誘起物理的ダメージ
  3.4　半導体デバイスの3次元化に伴うPPD機構
  3.5　おわりに
  4　原子層エッチングの反応素過程とその設計・制御
  4.1　はじめに
  4.2　原子層エッチングの反応素過程
  4.3　原子層エッチングの反応の設計と制御
  4.4　おわりに
  5　触媒アシストエッチングによる半導体表面のマイクロ・ナノ加工～発展の歴史と最新の報告例～
  5.1　はじめに
  5.2　金属吸着を援用したエッチングによるSi表面の自己組織的なナノ加工
  
  第5章　半導体デバイス製造におけるCMP
  1　緒言
  1.1　露光装置からの平坦化要求
  1.2　ウエハープロセスへのCMPの展開
  1.3　半導体デバイスの微細化
  2　研磨装置とスラリー
  3　洗浄装置とウエハー容器(FOUP)
  4　半導体製造プロセスへの適用
  4.1　素子分離(Shallow Trench Isolation STI)
  4.2　High Kメタルゲート(HKMG)
  4.3　FinFET
  4.4　ダマシーン配線(Cu配線やタングステン配線の加工に使用されている。Cuの例で説明する)
  4.5　ウエハー貼り合わせ
  
  第6章　洗浄技術
  1　半導体製造プロセスを支える洗浄技術
  1.1　大口径化と微細化
  1.2　洗う理由
  1.3　前工程と洗浄
  1.4　装置,薬液と乾燥
  1.5　洗う面積
  1.6　地球環境への影響と貢献
  1.7　まとめ
  2　半導体向け機能性洗浄剤
  2.1　JSRの半導体ウェットプロセス材料開発
  2.2　機能性洗浄剤に求められる役割
  2.3　JSRの機能性洗浄剤
  2.4　機能性洗浄剤の技術動向
  2.5　終わりに
  3　半導体ウェット洗浄技術の基礎と最先端技術
  3.1　半導体洗浄プロセス
  3.2　先端半導体デバイス製造における洗浄プロセスの課題
  3.3　シミュレーションの活用
  3.4　AIの活用
  3.5　環境負荷低減に向けた取り組み
  3.6　まとめ
  4　半導体ウェハの超臨界乾燥技術
  4.1　はじめに
  4.2　超臨界技術の概要
  4.3　超臨界乾燥技術の開発
  4.4　今後の展開
  5　高温処理ウエットステーションの現在地と未来～Batch式からHTSの系譜～
  5.1　はじめに
  5.2　HTS(High Temp Single Processor)-300Sの開発経緯
  5.3　HTS-300Sのメカニズム
  5.4　HTS-300Sの現在地と次ステップへの取り組み
  5.5　洗浄機が進むべき未来
  
  第7章　薄片化デバイスの後工程プロセスとダイシングの動向
  1　はじめに
  2　薄片化デバイスの切断プロセス:ブレードダイシング技術
  3　薄片化デバイスの切断プロセス:IR(Infrared)レーザダイシング技術
  4　薄片化デバイスの切断プロセス:UV(Ultraviolet)レーザダイシング技術
  5　おわりに
  
  第8章　封止・パッケージング技術
  1　先端半導体パッケージングの研究開発動向
  1.1　はじめに
  1.2　TSVを用いた先端半導体パッケージ形態
  1.3　多様化する先端半導体パッケージ形態
  1.4　おわりに
  2　半導体パッケージの熱モデルの概要とその課題
  2.1　はじめに
  2.2　半導体パッケージとは
  2.3　半導体の温度予測と熱モデル
  2.4　3次元熱モデルの課題への対応と新たな熱モデルの規格化
  2.5　まとめ
  3　熱可塑性ポリマーを利用した高性能樹脂材料の設計:マレイミドおよびエポキシ樹脂の高機能化
  3.1　はじめに
  3.2　半導体封止材料用の熱硬化性樹脂
  3.3　マレイミドポリマーのネットワーク構造制御
  3.4　エポキシ樹脂を用いる新規ネットワークポリマー材料の設計
  4　パワーデバイスに対する半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の展開
  4.1　はじめに
  4.2　先端半導体向け封止材料の開発コンセプト
  4.3　半導体封止材料の高耐熱化技術
  4.4　おわりに
  5　バンプレスChip-on-Wafer(COW)を用いたキャパシタ組み込み超小型三次元インターポーザ技術
  5.1　はじめに
  5.2　バンプレスChip-on-Wafer(COW)プロセス
  5.3　バンプレスCOW プロセス開発
  5.4　三次元インターポーザについて
  5.5　まとめ
  6　半導体パッケージング工程におけるプラズマクリーニング技術とその応用
  6.1　はじめに
  6.2　プラズマクリーニングにおける接合性改善のメカニズム
  6.3　プラズマクリーニングにおける密着性改善のメカニズム
  6.4　モールド樹脂の密着性改善に最適なプラズマ条件
  6.5　モールド密着性のシェア強度試験
  6.6　アンダーフィルプロセスへの応用
  6.7　おわりに
  
  第9章　パワーエレクトロニクス
  1　パワーエレクトロニクス技術とパワー半導体の役割
  1.1　はじめに
  1.2　パワーデバイスの主役:MOSFETとIGBT
  1.3　最新シリコンMOSFET技術
  1.4　最新シリコンIGBTならびにモジュール技術
  1.5　SiC MOSFETの最新技術
  1.6　SiC MOSFET最新モジュール技術
  1.7　まとめ
  2　最新パワー半導体モジュールのトレンドと性能進化の方向性
  2.1　はじめに
  2.2　パワー半導体素子技術
  2.3　パワー半導体モジュールのパッケージ技術
  2.4　最新パワー半導体モジュール製品の例
  2.5　まとめ
  3　自動車用パワーエレクトロニクスの現状と動向
  3.1　はじめに
  3.2　バッテリ電圧とインバータの動向
  3.3　DC/DCコンバータ・車載充電器の動向
  3.4　自動車用パワーエレクトロニクスの展開
  4　給配電システムに適用が拡大するパワーエレクトロニクス技術
  4.1　はじめに
  4.2　次世代パワー半導体素子
  4.3　高圧回路技術
  4.4　系統連系インバータ
  4.5　まとめ

• 内容紹介

  AI需要の急増を背景に半導体の先端プロセスや高度パッケージ技術が進展し 2nmプロセス時代へ突入し始めている。前工程・後工程・応用展開を体系化し，半導体技術を集結した一冊

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