フィジカルAI時代の半導体産業 [単行本]

フィジカルAI時代の半導体産業 [単行本] の 商品概要

• 目次

  第Ⅰ編　フィジカルAIが半導体産業を再定義する
  第1章　フィジカルAI革命
  1.　ChatGPTからPhysical AIへ
  2.　AI計算需要の爆発とインフラの限界
  3.　フィジカルAIのインフラ設計原則と主要制約
  4.　階層別決定性モデルと異常時挙動
  5.　計算パラダイムの物理的制約：データ移動と電力
  6.　フィジカルAI時代の産業構造とエコシステム
  
  第2章　チップレット革命
  1.　ムーア則の終焉
  2.　モノリシック設計の限界
  3.　モノリシック設計における物理的・経済的制約
  4.　モノリシック設計とチップレット設計の比較分析
  5.　UCIe標準化競争と半導体産業のモジュール化転換
  　5.1　UCIe標準化競争
  　5.2　UCIe標準化による半導体産業のモジュール化
  6.　ヘテロジニアス統合によるチップ機能最適化と物理制約の突破
  　6.1　ヘテロジニアス統合時代
  　6.2　ヘテロジニアス統合が実現する次世代AIチップの特性
  7.　新エコシステム形成
  
  第3章　価値移動のメカニズム
  1.　前工程中心時代の終焉
  2.　パッケージングへの利益移転
  3.　AI/HPC半導体産業における価値創造と構造変容
  4.　AIインフラの要としてのOSAT再評価：先端パッケージング時代における 戦略的パートナーシップの変容
  　4.1　OSAT再評価
  　4.2　AIインフラにおけるOSATの再評価と戦略的ポジションの変化
  5.　設計空間の支配者：AI半導体開発におけるEDA・IP企業の台頭と産業構造の変容
  　5.1　EDA・IP企業の影響力拡大
  　5.2　AI/HPCにおけるEDA・IP企業の主導権と産業構造
  6.　2030年に向けた次世代AI半導体産業における勝者の戦略条件
  7.　チップレット設計における半導体エコシステムの構造と競争力
  　7.1　チップレット設計の複雑化とエコシステムの重要性
  　7.2　協調設計を支えるプレイヤーの役割
  　7.3　設計空間の統合と主導権
  　7.4　今後の展望と競争力の源泉
  
  第Ⅱ編　AI半導体を止めるボトルネック
  第1章　ボトルネック連鎖の構造分析
  1.　Single Point of Failureとは何か
  2.　AIインフラにおける強結合型ボトルネック（準単一障害構造）
  3.　HBM→CoWoS→基板→電力の依存関係
  4.　AIインフラ構築における制約ネットワークと依存構造
  5.　AIインフラ構築におけるボトルネックの時間軸比較
  6.　AI供給網におけるリスク構造：機能別集中と素材依存の二層分析
  7.　AIインフラ構築におけるボトルネックの構造的推移と上流遡及（2026年～2030年）
  
  第2章　CoWoS供給危機
  1.　AI半導体供給網における供給制約資源のアロケーション構造
  2.　TSMCのCoWoS生産能力における構造的制約と供給上の課題
  3.　AI半導体におけるCoWoS実装の需給予測と需給バランスの推移（2025-2027年）
  4.　Intel・Samsungの追撃
  5.　CoWoS後継技術のロードマップ
  6.　2030年供給予測：制約の上流シフトとインフラ統合の時代
  
  第3章　HBM戦争
  1.　Memory Wallの再来：AI時代に顕在化した構造問題
  2.　なぜ従来DRAMは限界に達したのか
  3.　HBMとTSVが実現した構造転換
  4.　HBMがもたらした性能革新
  5.　AIアクセラレータにおけるHBMの役割とメモリ帯域幅の重要性
  6.　SK hynix優位の構造
  7.　Samsung巻き返し戦略
  8.　Micron成長戦略
  9.　HBM市場における技術進化と用途変化の展望（2026-2030年）
  
  第4章　基板革命
  1.　FC-BGAの限界
  2.　超大型AIアクセラレータにおける有機基板パッケージの主要課題
  3.　超大型AIアクセラレータにおける有機基板の電気的・物理的制約
  4.　次世代実装におけるガラス基板の技術的優位性と役割
  5.　ガラス基板実装を支える日本企業の技術的立ち位置
  6.　量産化ロードマップ
  7.　ガラス基板市場の成長予測と戦略的課題
  
  第5章　電力・熱・冷却
  1.　次世代AIデータセンターにおける電力・熱・空間の設計制約
  2.　次世代半導体における裏面電源供給（BSPDN）の技術的制約と価値
  3.　液冷技術競争：高密度AIデータセンターにおける熱設計の再定義
  4.　データセンターにおける高電圧DC給電システムへの移行と電力効率化
  5.　AI時代のデータセンターと電力系統の競合：現状と展望
  6.　AIデータセンターにおけるエネルギー制約とインフラ戦略の変容
  
  第6章　光インターコネクト
  1.　電気配線の限界：データセンターにおける物理的障壁
  　1.1　信号品質とエネルギー効率のトレードオフ
  　1.2　帯域幅密度と空間的制約
  　1.3　ラックスケール化と通信量爆発
  2.　CPO（Co-Packaged Optics）の意義：光通信のパッケージ内統合
  　2.1　CPOの技術的本質とパラダイムシフト
  　2.2　エネルギー効率の飛躍的向上
  　2.3　実装上の課題と2026年現在の到達点
  3.　CPOにおける実装技術の課題と展望
  　3.1　レーザー光源の安定性と熱管理の課題
  　3.2　保守性と歩留まり管理の複雑性
  4.　シリコンフォトニクスを巡る開発競争と2030年のAIインフラ
  　4.1　主要プレイヤーの開発動向
  　4.2　2030年に向けた技術的課題
  5.　CPOの普及シナリオと市場展望
  6.　光インターコネクトとCPOの市場展望
  
  第7章　熱力学的限界と排熱の経済学
  1.　フィジカルAI時代の制約ネットワーク
  　1.1　フィジカルAI時代の性能支配構造：制約ネットワークと設計限界
  　1.2　設計限界を規定する構造的要因
  　1.3　熱密度と冷却技術の進展
  　1.4　次世代実装における熱・電力管理技術
  　1.5　制約ネットワークが生む新たな産業価値領域
  　1.6　フィジカルAI時代の競争優位性
  2.　冷却・排熱が規定する持続性能
  　2.1　冷却性能と熱抵抗経路の定義
  　2.2　性能を創出するアクティブ・インフラ
  3.　冷却・排熱能力による投資判断
  　3.1　データセンターの密度クラスと冷却戦略
  　3.2　物理制約を制御する競争優位性
  4.　CapEx/OpExの最適化戦略
  
  第Ⅲ編　実装技術と材料覇権
  第1章　ハイブリッドボンディング
  1.　誘電体界面の化学結合とボイド制御
  　1.1　化学結合の形成プロセス
  　1.2　ボイド形成メカニズムの分類
  　1.3　ボイド抑制とプロセス統合設計
  2.　Cu-Cuハイブリッドボンディング：物理・統計・信頼性の統合設計
  　2.1　Cu接合メカニズムとプロセス支配構造
  　2.2　上流支配因子としてのウェハ歪みとアライメント
  　2.3　接続の非一様性と時間軸信頼性管理
  3.　プロセス統合：CMPとトポグラフィ制御
  　3.1　CMPの非線形性とトポグラフィの非対称性
  　3.2　確率空間として再構築される製造プロセス
  4.　先端パッケージングにおける信頼性設計：包括的制御と寿命モデル
  　4.1　結合故障モードの物理的構造と因果連鎖
  　4.2　信頼性加速評価体系と実務的制約
  　4.3　設計ルールへの統合と「設計による信頼性保証」
  5.　実装形態とコスト構造：W2W、D2W、C2W
  　5.1　実装形態別：歩留まり経済学の比較
  　5.2　コスト構造と技術的ボトルネック
  　5.3　プロセス統合の物理的制約
  6.　ハイブリッドボンディング：量産・研究開発ロードマップ
  　6.1　技術ロードマップの進展と展望
  　6.2　微細化を規定する工学的障壁
  　6.3　先端実装への応用とシステム要件
  　6.4　配線密度競争から量産性競争へ
  7.　技術的要件の深化と実務的課題
  　7.1　プロセス精度と界面制御の最前線
  　7.2　実装形態の比較と経済的最適化
  　7.3　信頼性管理：支配因子の変遷
  　7.4　量産可能なシステム統合能力への移行
  8.　ロジック・HBM統合の進化：ハイブリッドボンディングによる「メモリ・ウォール」の克服
  　8.1　HBM実装方式の進化とアーキテクチャの変遷
  　8.2　Memory Wall打破に向けた物理的・電気的改善
  　8.3　熱設計の臨界点：HBM実装における熱流路設計
  　8.4　信頼性と将来展望
  9.　ハイブリッドボンディングにおける歩留まり管理：ナノトポグラフィと汚染制御の極限
  　9.1　CMP工程によるトポグラフィの精密成形
  　9.2　汚染制御とクリーン環境の厳格性
  　9.3　製造コストと経済性への影響
  10.　量産化の壁
  　10.1　経済性の壁：高コスト構造の脱却
  　10.2　KGD（Known Good Die）の壁：歩留まり経済学
  　10.3　Queue Time（待ち時間）の制約：界面安定性の管理
  　10.4　未来への展望：プロセス統合の鍵
  
  第2章　RDLと微細配線
  1.　次世代AIインフラとしてのRDL：微細化技術と実装信頼性の統合
  2.　多層構造化とトポロジー設計の真髄
  3.　RDL信頼性の極致：材料・プロセス・力学の統合
  4.　チップレット統合と次世代インフラへの展望
  
  第3章　材料革命
  1.　封止材・アンダーフィル技術
  2.　ABF（Ajinomoto Build-up Film）
  3.　ドライフィルム（DFR）
  4.　めっき材料：超高密度配線における界面制御技術
  5.　先端パッケージングにおける材料戦略：制約空間の拡張
  6.　PFAS規制対応とサプライチェーンの再適応戦略
  7.　材料別ボトルネック分析：ロックイン、SPOF、化学材料の戦略価値
  
  第4章　装置産業の覇権
  1.　接続の最適化：半導体産業のパラダイムシフト
  2.　境界の再階層化と「歪み場」の制御
  3.　反り制御とメトロロジーの限界
  
  第Ⅳ編　地政学とサプライチェーン戦略
  第1章　米中半導体戦争の新局面
  1.　米国CHIPS法と半導体サプライチェーンの地政学的再編
  　1.1　CHIPS法の成果：地政学的オプションの創出
  　1.2　製造回帰の盲点：先端パッケージングへのボトルネックの転移
  　1.3　構造的制約の動的分析：人材・電力・インフラ
  　1.4　AI時代におけるデータガバナンスと競争構造
  　1.5　TCRの最適化と日本企業の勝ち筋
  2.　中国の半導体適応戦略：制約条件下最適化（Constraint-Driven Optimization）の深化
  　2.1 「戦略的循環構造」の成立とトレードオフ
  　2.2　パッケージングによる補完と「依存の再構成」
  　2.3　AIアクセラレータにおける「代替戦略」の限界
  　2.4　適応戦略がもたらす新秩序
  3.　台湾リスク：世界AIインフラにおける「支配的ボトルネック」の構造
  　3.1 「支配的ボトルネック」としての台湾
  　3.2　供給制約の「三位一体」と同期的制約
  　3.3　ボトルネック管理の時代
  4.　欧州の生存戦略：産業インフラとしての「ニッチトップ」と「メタレイヤー」
  　4.1 「ニッチトップ」戦略と強みの源泉
  　4.2　戦略の二軸構造と将来シナリオ
  5.　半導体供給網の再編とAIインフラの構造的隘路 ―2026年版サプライチェーン主権競争の全貌
  
  第2章　日本の勝ち筋
  1.　戦略的材料優位性：AIインフラを支える共最適化の要
  　1.1 「材料単体」から「統合ソリューション」への転換
  　1.2　重心移動：熱・電力・環境への対応
  　1.3　2030年の日本半導体戦略論
  2.　装置覇権：先端パッケージングを支える量産化エンジニアリングの要
  　2.1 「加工技術」から「量産再現性」の追求へ
  　2.2　インテリジェント製造への進化
  　2.3　量産化プラットフォームの提供者としての日本
  3.　ABFと基板戦略：AIインフラを支える電源供給基盤としての役割
  　3.1 「電源供給基盤」への役割進化
  　3.2　基板技術ロードマップ：2030年に向けた進化
  　3.3　持続的な競争優位に向けて
  　3.4　AIインフラの生命線
  4.　TIM・封止材戦略：AIインフラの「熱インフラ」を支える日本材料
  　4.1 「パッケージ単体」から「熱インフラ」への再定義
  　4.2　エネルギー効率を支える「熱のインフラ」
  5.　Rapidus評価：連携型エコシステムによる先端製造への挑戦
  　5.1　2027年量産に向けた主要なリスクと課題
  　5.2　連携型エコシステムとしての価値
  　5.3　STCO時代の試金石
  6.　接続領域戦略：接続密度競争が主導するAIインフラの未来
  　6.1　ハイブリッドボンディングと周辺技術の支配
  　6.2　光電融合と接続の高度化
  　6.3　日本が克服すべき構造的課題：OSATの脆弱性
  　6.4　接続密度競争の時代と日本
  7.　熱制御素材の覇権
  　7.1　TIM（熱伝導シート・材料）：熱インフラを支える不可欠なインターフェース
  　7.2　日本企業の立ち位置と材料固定化（Lock-in）の構造
  　7.3　データセンター運営への貢献
  8.　高熱伝導封止材（EMC）：AIパッケージの信頼性を守る「構造材料」
  　8.1　封止材に求められる極限の技術的要件
  　8.2　日本勢の強み：歩留まりを支配する「擦り合わせ技術」
  　8.3　AIインフラの「歩留まり」を支配する構造材料
  9.　液冷用冷媒と周辺素材：AIデータセンターの「血液」
  　9.1　冷媒（クーラント）のパラダイムシフト
  　9.2　周辺部材：液漏れ防止がシステム信頼性の生命線
  　9.3 「血液」がもたらすAI社会の持続可能性
  10.　プロセスの擦り合わせ：共同開発型ビジネスモデルの障壁
  　10.1　ブラックボックス化された擦り合わせ
  　10.2　参入障壁の物理的・時間的構造
  　10.3　結論：産業構造としての不可逆性
  
  第3章　サプライチェーン危機分析
  1.　世界を止める真のSPOF：半導体サプライチェーンの依存構造分析
  　1.1　依存の連鎖：ASMLからHBMへ
  　1.2　半導体サプライチェーンにおけるSPOF TOP10
  　1.3　主要ボトルネックの深層分析
  　1.4　リスクの展望
  2.　AIインフラ構築の構造分析：物理的依存連鎖と制約要因
  　2.1　AIインフラ構築における物理的依存構造
  　2.2　2026年 需給上のボトルネック・ランキング
  　2.3　主要制約要因の技術的深層分析
  3.　AIインフラの戦略的本質：キャパシティの「予約」から「同期化」へ
  　3.1　戦略的パラダイムの進化：在庫から同期化へ
  　3.2　キャパシティ予約から同期化への転換
  　3.3　リスクの再解釈：TSMCへの依存と分散の現実
  　3.4　AIインフラ競争の最終形態
  
  第4章　地政学的最適化とローカル・パッケージング戦略
  1.　物理的距離の再評価と半導体供給網の構造転換
  2.　設計最適化の現地化：「物理制約と階層的統合」
  　2.1　世界観の定義：設計という最適化空間
  　2.2　階層的制約の双方向性：制約の逆伝播構造
  　2.3　マージン設計の科学：多次元ダイナミクス
  　2.4　I/Oアーキテクチャの再配置：最適化関数の統合
  　2.5　二極収束型構造：勝者の条件

• 内容紹介

  ・AI半導体の真のボトルネックはどこか。物理と技術の深層を解き明かす。
  ・微細化の先にある「実装の世紀」。次世代半導体覇権の全容を完全分析。
  ・フィジカルAI時代の羅針盤。半導体からデータセンターまでを構造化。
  ・電力・熱・材料の制約を突破せよ。次世代半導体産業の勝者条件とは。
  ・なぜシリコンだけでは足りないのか。物理制約が創る新たな経済価値。
  ・米中対立とサプライチェーン。日本の半導体産業が手にする「勝ち筋」。
  ・CoWoSから次世代実装へ。AI半導体供給網のボトルネックを徹底解剖。
  ・2030年の勝者へ贈る。フィジカルAIと半導体インフラの統合戦略。
  ・物理現象とAIの融合。産業を再定義する技術ロードマップをここに。
  ・データセンター革命の衝撃。排熱の経済学と材料革命の全貌を網羅。

フィジカルAI時代の半導体産業 [単行本] の商品スペック