はじめてのパワー半導体デバイス [単行本]

はじめてのパワー半導体デバイス [単行本] の 商品概要

• 要旨（「BOOK」データベースより）

  ｐｎ接合・ＭＯＳ構造の動作メカニズム、ＳｉＣ／ＧａＮの物性・プロセス技術から、次世代ワイドバンドギャップ半導体の最前線まで解説！

• 目次（「BOOK」データベースより）

  第１章　パワー半導体はＥＶ・太陽光・データセンタでどう使われるのか
  第２章　パワー半導体デバイスの基本―ｐｎ接合、金属半導体接合、そしてＭＯＳ構造―
  第３章　パワー半導体デバイスの種類と特徴
  第４章　シリコンＭＯＳＦＥＴ
  第５章　シリコンＩＧＢＴ
  第６章　シリコンＭＯＳＦＥＴならびにＩＧＢＴの作製プロセス
  第７章　ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由
  第８章　ワイドバンドギャップ　パワー半導体デバイス１―ＳｉＣパワー半導体デバイス―
  第９章　ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス２―ＧａＮパワー半導体デバイス―

• 出版社からのコメント

  パワー半導体のわかりやすい教科書が登場！

• 内容紹介

  モビリティの電動化やフィジカルAI、AIデータセンターの増設など変化が著しい技術環境において、電力供給の高効率化や省エネルギー化を担うパワー半導体デバイスの重要性が増しています。
  本書は大学の講義資料を基礎とし、大学・高等専門学校の学生や企業の若手技術者に向けた教科書となることを意図して構成しています。pn接合やMOS構造といった基本原理をはじめ、MOSFETやIGBTの動作原理、さらにSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料の物性特性プロセス技術まで詳細に解説。
  最前線の技術課題に直結する基礎知識を体系的に修得し、次世代の学術基盤を構築するための一冊です。

• 著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

  岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
  １９６２年東京都板橋区生まれ。１９９８年博士（工学）（早稲田大学）。職歴：１９８４年富士電機株式会社入社。１９８８年からシリコンＩＧＢＴ、ダイオードならびにＳｉＣデバイスの研究開発、製品化に従事。２０１３年４月―筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授。専門：シリコンならびにＳｉＣパワーデバイスの設計ならびに評価・解析

• 著者について

  岩室 憲幸 (イワムロ ノリユキ)
  岩室 憲幸（いわむろ のりゆき）
  所属
  筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授
  経歴
  1962年　東京都板橋区生まれ
  1984年　早稲田大学理工学部電気工学科卒
  1992-93年　米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員
  1998年：博士（工学）（早稲田大学）
  職歴
  1984年　富士電機株式会社入社
  1988年から　シリコンIGBT、ダイオードならびにSiCデバイスの研究開発、製品化に従事
  2009年　(国)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター
  SiCパワーデバイス量産化技術開発に従事
  2013年4月－　筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授、現在に至る
  専門
  シリコンならびにSiCパワーデバイスの設計ならびに評価・解析

はじめてのパワー半導体デバイス [単行本] の商品スペック