改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術（技術評論社） [電子書籍]

改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術（技術評論社） の 商品概要

• 「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。
  

• 目次

  1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
  1.1　ドライエッチングの概要
  1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ
  1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
  2 章　ドライエッチングのメカニズム
  2.1　プラズマの基礎
  2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
  2.3　エッチングプロセスの組み立て方
  3 章　各種材料のエッチング
  3.1　ゲートエッチング
  3.2　SiO2 エッチング
  3.3　配線エッチング
  3.4　まとめ
  4 章　ドライエッチング装置
  4.1　ドライエッチング装置の歴史
  4.2　バレル型プラズマエッチャー
  4.3　CCP プラズマエッチャー
  4.4　マグネトロンRIE
  4.5　ECR プラズマエッチャー
  4.6　ICP プラズマエッチャー
  4.7　ドライエッチング装置の実例
  4.8　静電チャック
  5 章　ドライエッチングダメージ
  5.1　Si 表層部に導入されるダメージ
  5.2　チャージアップダメージ
  6 章　新しいエッチング技術
  6.1　Cu ダマシンエッチング
  6.2　Low-k エッチング
  6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
  6.4　メタルゲート/High-k エッチング
  6.5　FinFET エッチング
  6.6　マルチパターニング
  6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
  6.8　3D IC 用エッチング技術
  7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）
  7.1　ALE の原理
  7.2　ALE の特性
  7.3　ALE シナジー
  7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
  7.5　SiO2 ALE
  7.6　まとめ
  8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望
  8.1　ドライエッチングにおける技術革新
  8.2　今後の課題と展望
  8.3　エンジニアとしての心構え
  

改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術（技術評論社） の商品スペック